在金電之間夾著一層原子薄的六方氮化硼層，可以作為傳輸5G甚至更高頻率的開關(guān)。

德克薩斯州的工程師設(shè)計了一種類似記憶體的非揮發(fā)性的2D六方氮化硼開關(guān)。

原子數(shù)量級的二維材料在很多方面都很有用，但直到兩年前，還沒有人想到它們能制造出更好的存儲設(shè)備。Deji Akinwande， Jack Lee和他們在UT Austin的團(tuán)隊嘗試了一下。事實證明，把像二硫化鉬這樣的2D材料夾在兩個電之間就形成了記憶器——一種通過改變電阻存儲數(shù)據(jù)的雙端設(shè)備。在之前研究報告中，他們已經(jīng)證明了這些“原子電阻器”的一個非常重要的潛在應(yīng)用——模擬射頻開關(guān)，適用于5G甚至未來的6G無線電。

蜂窩無線電做了很多轉(zhuǎn)換。他們在不同頻率之間進(jìn)行切換以防止干擾，還在不同相位的信號之間進(jìn)行切換以控制數(shù)據(jù)光束。射頻開關(guān)是一種要求很高的設(shè)備，需要一種很難獲得的特性組合?？焖匍_關(guān)，低電阻，高離阻抗，泄漏小，這是今天的開關(guān)所沒有的，它們應(yīng)該在沒有電源的情況下保持原位。如果不用開著收音機(jī)開關(guān)，依靠電池的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)可能會使用更久。這就是新的納米級原子電阻器開關(guān)現(xiàn)在所能做的，不是為5G頻率，而且也為未來可能的6G頻率。

憶阻器通常由兩個電夾在緣材料柱（如氧化物材料）中組成。該裝置在高電阻狀態(tài)下啟動，阻止電流通過。但是如果將電壓提高到高的程度，氧就會從氧化物中擠出來，形成一條導(dǎo)電通道。在這種狀態(tài)下，設(shè)備現(xiàn)在很容易通過電流。相反方向的高電壓會把氧放回原位，恢復(fù)它的電阻。

一層六方的氮化硼形成了納米級的開關(guān)。

由于二維半導(dǎo)體中沒有垂直維度來形成導(dǎo)電路徑，所以這種情況不會發(fā)生。相反，Akinwande的研究小組發(fā)現(xiàn)，二維材料晶格中某些自然產(chǎn)生的缺陷會產(chǎn)生這種效果。這些缺陷就是原子的缺失。通常，二維材料的電阻很高，但如果有的電壓，電上的金原子會暫時移到空隙中，使材料具有導(dǎo)電性。Akinwande 介紹：“基本上，它就像Airbnb。他們只是在租房子，”一個強(qiáng)大的反向電壓會將金推出。

原子反應(yīng)初是用二硫化鉬作為二維材料發(fā)現(xiàn)的。但是對于RF開關(guān)來說，當(dāng)關(guān)閉時強(qiáng)烈地阻止信號，“你真正需要的是一個緣體，”因此，該團(tuán)隊和他們在里爾的合作者轉(zhuǎn)向六方氮化硼（hBN），這是一種被廣泛研究的二維緣體。

Akinwande：“通常當(dāng)人們使用hBN時，他們使用了好幾層?！钡S著時間的推移，他的團(tuán)隊能夠用0．3納米厚的材料層制造出開關(guān)?！叭藗儗@一結(jié)果感到震驚?！瓣P(guān)鍵是產(chǎn)生hBN時不能有任何大到讓電流通過的缺陷?！八鼛缀跬昝馈！?/span>

RF開關(guān)的關(guān)鍵優(yōu)點在于它的截止頻率。它是通態(tài)電阻和斷態(tài)電容的組合，在一個良好的開關(guān)中，兩者都應(yīng)該是低的。截止頻率的赫茲值表明該設(shè)備是射頻開關(guān)的良好選擇，實驗的hBN設(shè)備得分為129太赫茲。作為測試的一部分，該團(tuán)隊使用100千兆赫的載波頻率，以每秒8．5千兆赫的速度傳輸實時高清視頻。他們介紹，這個頻率滿足5G的流媒體需求。在這個數(shù)據(jù)速率下，幾秒鐘就可以下載幾部電影。他們將研究結(jié)果發(fā)表在《自然電子》雜志上。

對于5G頻率，Akinwande正在探索商業(yè)化，以進(jìn)一步開發(fā)納米級開關(guān)。盡管研究設(shè)備是在金剛石襯底上使用金電進(jìn)行演示的，Akinwande表示制造這些RF開關(guān)的過程與廠使用的CMOS過程是兼容的。他指出，幾所和臺積電的研究顯示，hBN與硅可以集成在一起。

對于6G頻率，預(yù)計將包括太赫茲范圍內(nèi)的頻率（300至3000 GHz），UT Austin團(tuán)隊正計劃進(jìn)行新的實驗室測量。